無(wú)壓燒結(jié)銀AS9376用于MEMS慣性傳感器封裝
?技術(shù)挑戰(zhàn)：
需兼容MEMS振梁等微結(jié)構(gòu)（尺寸<100 nm），避免高溫高壓導(dǎo)致形變或失效。
?AS9376解決方案：
?低應(yīng)力燒結(jié)：燒結(jié)過程對(duì)硅基板應(yīng)力<5 MPa，振梁諧振頻率偏差<0.5%。
?真空密封：通過無(wú)壓燒結(jié)實(shí)現(xiàn)氣密性封裝（漏率<1×10?? Pa/m3），壽命>101?次循環(huán)。
?假設(shè)案例：博世MEMS陀螺儀采用AS9376封裝，體積縮小30%，成本降低20%。

燒結(jié)銀AS9376實(shí)施建議與驗(yàn)證方法
?燒結(jié)曲線設(shè)計(jì)：
推薦兩段式工藝：150℃預(yù)燒結(jié)（5 min）+峰值溫度180℃（3℃/s升溫，10 min保溫）。

若需進(jìn)一步探討燒結(jié)銀AS9376在特定HPC應(yīng)用（如量子計(jì)算芯片互連）中的定制化方案，或需要具體測(cè)試數(shù)據(jù)支持，請(qǐng)?zhí)峁└嗉夹g(shù)細(xì)節(jié)或合作需求。