5年
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關(guān)鍵詞 |
燒結(jié)銀膏,燒結(jié)銀,無(wú)壓燒結(jié)銀,納米燒結(jié)銀膏 |
面向地區(qū) |
粘合材料類型 |
金屬類 |
燒結(jié)銀漿AS9376作為一種專為計(jì)算（HPC）設(shè)計(jì)的低溫?zé)Y(jié)材料，其特的無(wú)壓燒結(jié)工藝、高導(dǎo)電性和工藝兼容性使其成為HPC芯片封裝、3D集成和異質(zhì)互連等場(chǎng)景的理想選擇。以下是其在HPC中的具體應(yīng)用分析及技術(shù)價(jià)值：
燒結(jié)銀AS9376的關(guān)鍵特性適配HPC需求
性能指標(biāo) AS9376參數(shù) HPC需求匹配性：燒結(jié)溫度? ≤180℃（峰值溫度） 兼容低溫封裝工藝（避免熱損傷）
燒結(jié)銀AS9376的長(zhǎng)期穩(wěn)定性：
抗離子遷移設(shè)計(jì)（添加Al?O?納米顆粒）使85℃/85%RH下電阻漂移率<5%/1000小時(shí)。
?成本效益：
銀包銅替代方案（Cu含量≤10%）可降低銀用量30%，材料成本下降25%。
燒結(jié)銀AS9376實(shí)施建議與驗(yàn)證方法
?燒結(jié)曲線設(shè)計(jì)：
推薦兩段式工藝：150℃預(yù)燒結(jié)（5 min）+峰值溫度180℃（3℃/s升溫，10 min保溫）。
燒結(jié)銀AS9376的微觀結(jié)構(gòu)：
SEM觀察燒結(jié)后銀層孔隙率（<2%）、晶粒尺寸（<50 nm）。
?電學(xué)性能：
四探針法測(cè)接觸電阻（目標(biāo)<10 mΩ·mm2）和擊穿電壓（>100 V）。
燒結(jié)銀AS9375的可靠性測(cè)試：
PCT測(cè)試（100 bar/85℃）評(píng)估體積變化率（ΔV/V <0.5%）。
高溫加速老化（85℃/85%RH/1000小時(shí)）監(jiān)測(cè)電阻漂移率。
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