95%(常壓燒結(jié)) 減少孔隙率(25 MPa,無開裂。 假設(shè)?案例:用于Xilinx UltraScale+ FPGA陶瓷基板,信號(hào)延遲降低10%。燒結(jié)銀AS9376的未來擴(kuò)展方向 ?異質(zhì)集成: 結(jié)合ALD銀膜(厚度~0.3 nm)構(gòu)建三維互連網(wǎng)絡(luò),實(shí)現(xiàn)低電阻(90%)。" />
5年
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關(guān)鍵詞 |
無壓納米燒結(jié)銀膏,無壓燒結(jié)銀膏,納米燒結(jié)銀膏,無壓燒結(jié)銀 |
面向地區(qū) |
粘合材料類型 |
金屬類 |
燒結(jié)銀AS9376的致密化率? >95%(常壓燒結(jié)) 減少孔隙率(<2%)提升可靠性
?附著力? ≥45 MPa(劃格法) 抗機(jī)械應(yīng)力(滿足芯片堆疊需求)
無壓燒結(jié)銀AS9376用于陶瓷基板互連
?技術(shù)挑戰(zhàn):
在AlN/SiC等高導(dǎo)熱陶瓷基板上實(shí)現(xiàn)高密度布線,需材料CTE與基板匹配。
?AS9376解決方案:
?CTE可調(diào)性:通過玻璃粉組分優(yōu)化(Bi?O?-ZnO-B?O?體系),CTE控制在6 ppm/℃(接近AlN的2.5 ppm/℃)。
?高可靠性:85℃熱沖擊下界面剪切強(qiáng)度>25 MPa,無開裂。
假設(shè)?案例:用于Xilinx UltraScale+ FPGA陶瓷基板,信號(hào)延遲降低10%。
燒結(jié)銀AS9376的未來擴(kuò)展方向
?異質(zhì)集成:
結(jié)合ALD銀膜(厚度~0.3 nm)構(gòu)建三維互連網(wǎng)絡(luò),實(shí)現(xiàn)低電阻(<10?? Ω·cm2)。
?智能化材料:
引入形狀記憶聚合物(SMP)改性銀漿,實(shí)現(xiàn)微裂紋自修復(fù)(修復(fù)效率>90%)。
————— 認(rèn)證資質(zhì) —————
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